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一. 考试要求
主要考查学生对纳米级工艺条件下CMOS数字集成电路的基本理论、基础知识和基本设计方法的理解和掌握，以及应用这些知识解决CMOS数字集成电路相关设计问题的能力。
二、考试内容
1．晶体管模型及理论
集成电路发展历程，晶体管开关模型及基本CMOS逻辑门结构，长沟道晶体管模型，非理想I-V特性，逻辑门直流传输特性
2．延时
延时的定义和计算，RC延时模型，逻辑努力延时模型，路径逻辑努力模型
3．功耗和互连线
动态功耗，静态功耗，互连线的物理特性，互连线的影响及实现
4．组合电路设计
静态CMOS电路优化，伪nMOS电路设计，动态电路设计，传输管电路设计
5．时序电路设计
时序单元设计，延时约束，同步单元设计
6．数据通路设计
加法器设计，乘法器设计，比较器、移位器等部件设计
7．存储部件设计
SRAM设计，DRAM设计，ROM等其它类型存储部件设计
8. 封装、电源及时钟
封装种类，电源网络设计原理，时钟网络设计原理
三、考试形式
考试形式为闭卷、笔试，考试时间1.5-2.0小时,满分100分。
题型包括：选择题、简答题、计算题、分析题、综合题等。
四、参考书目
1．《CMOS超大规模集成电路设计（第四版）》，Neil Weste, David Harris著，周润德 译，电子工业出版社，2022.
